LED以其节能、环保、长寿命等诸多优点,迅速占领了指示、显示、照明等领域,特别是以GaN基为主的LED照明光源,在近年来发展迅速,掀起了全球范围的LED研究热潮,各国也相继出台政策大力支持半导体照明产业的发展。GaN基LED从研制成功到现在经历了几十年的发展,其性能和技术也取得了重要突破和进步,但仍有一些问题存在,主要是LED的发光效率还需要进一步的提高,芯片的制造成本还需继续降低,到大众可以接受的范围,如何提高其制备技术、开发新材料是一个很有价值的研究课题。本文以GaN基大功率LED为研究对象,主要的内容有：1.分析了提高LED芯片发光效率的途径,并简述了其研究进展；2.详细介绍了垂直结构LED的制备工艺过程,并详细介绍了电极制造过程中的关键技术。3.研究了不同工艺制程对高反射率P-GaN欧姆接触电极的影响。4.研究了垂直结构LED芯片电极Ni/Sn合金背金层的制备和性能,并讨论了合金作为背金层对芯片性能的影响。