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随着工业和经济的发展,全球环境污染日益严重,光催化法降解有机污染物是解决这一问题的有效途径,而ZnO是目前被广泛研究和应用的半导体光催化剂之一。本论文针对增大ZnO纳米材料比表面积,抑制光生电子空穴复合等ZnO材料改性对其光学、光催化性质的影响等方面的问题开展了研究工作。主要包括：(1)通过水热法制备ZnO纳米带,并利用二次生长的方法在ZnO纳米带上制备ZnO纳米线。研究表明,二次生长后的ZnO纳米材料比表面积明显提高,且光催化活性也有明显的增强效果。(2)通过蒸镀的方法或紫外光照还