采用Yu的合成方法,合成出不同尺寸的胶质PbSe纳米晶。测量它们的吸收光谱,发现PbSe纳米晶的禁带宽度依赖于尺寸。利用有效质量近似和有限深势阱模型,建立了计算PbSe纳米晶禁带宽度的公式。在不同的环境条件下,我们测量了PbSe纳米晶的PL光谱,发现PbSe纳米晶的稳定性与照射光条件、放置的时间、粒子的尺寸和氮气环境有关。在合成中发现,适量注入TBP(tributyl phosphine,三丁基磷)可以改善PbSe纳米晶的发光效率,过量的注入TBP会导致纳米晶团聚,引起发光效率的下降。在23-100℃范围内,测量了不同尺寸的PbSe纳米晶的吸收光谱,发现PbSe纳米晶的禁带宽度和禁带宽度随温度的变化率是尺寸、温度依赖的,存在着转变临界尺寸。在理论上,我们计算出PbSe纳米晶转变临界尺寸是4.88nm。通过测量多个尺寸PbSe纳米晶的消光系数,证明PbSe纳米晶的消光系数也依赖于尺寸。采用“successive ion layer adsorption and reaction (SILAR)”方法,合成了胶质PbSe/CdSe核壳纳米晶,它保持了原PbSe纳米晶的高量子产额,而且在一个月里发光效率没有降低;采用同样的方法,合成出胶质PbSe/CdSe/ZnSe多层核壳纳米晶,有效的控制了Cd、Pb的毒性。