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本文从增强体表面改性(化学镀)和基体合金化两种途径向SiCp/Al复合材料中引入Cu,研究了Cu对SiCp/Al复合材料界面及其在Cl~-环境中腐蚀行为的影响。利用X-射线衍射仪、扫描电子显微镜及能谱对相关复合材料界面形貌及结构进行观察分析,通过动电位极化曲线、交流阻抗谱、电化学噪声及扫描电子显微镜测试观察复合材料在3.5%NaCl溶液中的电化学性能和腐蚀形貌。结果表明,化学镀铜后,碳化硅颗粒表面包覆了一层致密、连续的铜层,镀铜层改善了碳化硅颗粒与铝基体间的润湿性,提高了界面结合强度,减少了有害界面反应物A14C3的生成,镀铜碳化硅颗粒制备的SiCp/Al复合材料界面结合较好,裂缝、孔洞等缺陷少,Al4C3相和Si相明显减少,并有适量CuAl2相生成。电化学测试结果表明,在Cl~-环境中,镀铜碳化硅颗粒制备的SiCp/Al复合材料具有较低的自腐蚀电位,较小的自腐蚀电流密度及较高的点蚀电位,表现出较大的腐蚀倾向,较小的腐蚀速率和较高的抗点蚀能力。Cu的引入推迟了复合材料表面钝化膜的形成时间,提高了钝化膜电阻对腐蚀的阻挡作用。镀铜碳化硅颗粒制备的SiCp/Al复合材料在Cl~-环境中主要腐蚀形态为点蚀,而未镀铜碳化硅颗粒制备的SiCp/Al复合材料腐蚀初期以点蚀为主,腐蚀后期发展为均匀腐蚀。基体加铜后制备的SiCp/Al复合材料界面结合普遍较差,颗粒表面开裂严重,界面缺陷较多,但基体铜含量为6%时制备的SiCp/Al复合材料界面质量有所改善。随基体铜含量增加,制备的SiCp/Al复合材料中Al4C3相含量减少,CuAl2相含量增加。在Cl~-环境中,基体加Cu后制备的SiCp/Al复合材料具有较负的自腐蚀电位,表现出较大的腐蚀倾向。基体中Cu含量越高,制备的SiCp/Al复合材料自腐蚀电位越负,自腐蚀电流密度越大,表明复合材料的腐蚀倾向及腐蚀速率越大。纯铝基体制备的SiCp/Al复合材料腐蚀初期以点蚀为主,腐蚀后期发展为均匀腐蚀,而基体加Cu后制备的SiCp/Al复合材料腐蚀初期主要发生点蚀,之后蚀孔优先沿着晶界CuAl2相周边生成并长大演变为晶间腐蚀,最后腐蚀产物大量积累,复合材料表面无法承载相应的压力发生剥蚀。