以电子运动三维受限的量子点为代表的半导体纳米结构在光电子、微电子和单电子器件领域有着重要的应用前景。相比于Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点材料，依靠晶格失配而自组织生长的Ge/Si量子点因具备直接与Si基互补型金属氧化物半导体场效应管(CMOS)电路兼容的天然属性而倍受关注。而量子点的量子物理特性是构建许多纳米电子器件及单电子器件的基础，因此研究单量子点的电学性质极为重要。导电原子力显微镜(CAFM)是近年来发展起来的一种扫描探针显微镜，它的同步电流测量模式可以在测试过程中同时得到样品表面纳米尺度的表面形貌和电学信息。因此，CAFM可以用来表征单量子点的微观结构和电学特性，从而为材料的控制生长和应用提供依据。　　本论文使用CAFM研究了离子束溅射自组织生长的Ge/Si单量子点的电流分布和I-V曲线等电学性质以及电流传导机制。论文主要工作内容包括:　　1、采用导电原子力显微镜研究了离子束溅射自组织生长的Ge/Si量子点的电学性能。实验结果表明，施加正向偏压于圆顶形量子点上时，由于表面氧化物的生成，扫描区域的电流信号是不可恢复的。施加负向偏压时，单量子点区域的电流分布特征保持环状，且电流剖面图呈双峰结构，随着负向偏压的增大，各个电流峰项部形状由尖锐变为截平，呈现出饱和的趋势。通过对电流值大小分布的统计研究，我们证实Ge/Si量子点的电流传导主导机制为热电子发射。　　2、研究了离子束溅射自组织生长的Ge/Si量子点的表面形貌和I-V特性曲线。实验结果表明，用导电原子力显微镜测试Ge/Si单量子点的I-V曲线时，量子点由于缺陷的存在，Ge/Si量子点和Si衬底之间有一层无序结构存在，所以整个测试体系是双隧道体系。并根据库仑阻塞效应理论，在以上的实验条件下，Ge/Si量子点可发生库仑阻塞效应。较小尺寸的Ge/Si量子点由于量子点中心的硅含量比较高，电流分布图是呈环状的;而较大尺寸的Ge/Si量子点由于量子点中心的硅含量比较低，电流分布图是呈圆盘状的。Ge/Si量子点为30-60 nm时，能否发生库仑阻塞效应与尺寸无关，与量子点的结晶性有关。　　综上所示，CAFM是一项研究纳米半导体材料有效的工具，尤其是对于单纳米点的电学性能的研究，可以对纳米材料以后使用在器件上提供依据。