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伴随着电子信息技术产业化的飞速发展,人们对存储器的性能提出了更高的要求。对器材小型化,高密度,快读写,长寿命的需求不断驱动着科技创新。而非易失性存储器(NVM)器材以其优异的性能,越来越受到广大拥护和科研人员的青睐。作为常用的NVM器件,硅基flash存储器虽然有着广泛的应用。然而相对寿命短、读写速率慢等瓶颈极大地制约了其应用前景。作为替代,出现了很多全新的NVM器件,其中包括铁电随机存储器(FeRAM)、相变随机存储器(PRAM)、阻变随机存储器(RRAM)等。在这些新型的存储器中,阻变随机存储器