随着超大规模集成技术的发展,芯片尺寸的日益缩小,铜作为连接材料的优越性日益显现。由于铜的反应生成物不具有挥发性,刻蚀很难实现。只有先在硅片上作好双大马士革结构,然后填入铜来实现铜互连。本文研究无中间层双大马士革中FSG刻蚀技术。由于没有额外的中间层,其总体的介电系数降低,有效地减少互连延迟的问题,优化器件的性能。刻蚀过程被细分为四步实施:VIA通孔刻蚀,BARC刻蚀,Trench沟槽刻蚀和Nitride阻挡层刻蚀(Nitride Remove)。通过大量的实验,参考电子显微镜照片,分析刻蚀结果,针对刻蚀过程中出现的主要问题,如BARC高度控制、CD控制、沟槽刻蚀的造型优化等加以改进,以达到选择比、侧壁保护、整体造型等要求,最后顺利完成无中间层双大马士革结构。实验中遇到的具体问题和解决方法,对于提高大规模集成电路的制造工艺有一定的参考价值。