光学邻近效应修正(Optical Proximity Correction，OPC)已成为半导体制造不可缺少的技术，同时发展为电子设计自动化(Electronic Design Automation，EDA)框架中的重要组成部分。OPC原先主要用来提高图像的解析度和图形的还原能力，现在也用在可制造性设计(Design for Manufacturability，DFM)中优化布局以提高芯片的良率。本论文目的在于提高基于模型的OPC(Model-based OPC，MOPC)的准确性以及完善OPC相关的验证方法。 传统的MOPC只关注目标条件的制程信息，所以当制程参数变化时模型的可用性就变得模糊，同时就不能准确地预测，需要重新建立模型。本论文提出了基于制程窗口的OPC模型，称为偏离标准条件的OPC模型(Off-Target MOPC，OTMOPC)。OTMOPC的修正布局能够经受住制程参数在一定范围内的变化，确保光罩图形有足够的制程窗口。同时，当制程参数在窗口内变化时，模型不需要重新建立，缩短了OPC流程的时间。 完善了OPC的分析和验证方法，提出新的验证流程把光刻规则检查(Lithography Rule Checking，LRC)插入到设计规则(Design Rule Checking，DRC)检查之后，借助制程模型找出设计布局中的不足之处，用来优化设计规则、产生利于OPC修正的布局图形和基于制程窗口优化光罩上的图形。 为提高OPC的准确性，必须严格控制光罩质量。提出了如何取样光罩量测点以及用光罩的SEM照片监测OPC图形的质量。同时为OPC光罩检查提出了怎样区分OPC图形与瑕疵的检查程式。