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半导体纳米微粒以其独特的物理和化学性质成为材料学研究的热点,多孔氧化铝具有高密度、均一、柱状平行的纳米孔,是一种很好的制备有序纳米线阵列的样模.该文采用以多孔氧化铝为样模,合成有序硫族半导体纳米阵列,研究具有不同直径和含量的硫族半导体纳米线阵列的紫外可见吸收谱.该文着重研究了影响制备多孔氧化铝的几个因素,如氧化电压、介质、温度和氧化时间等.