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近年来,氧化银(AgxO)由于在光存储和磁光存储方面的潜在应用受到了越来越多的关注。其在光存储和磁光存储的应用主要是基于它的热分解效应。目前由于双相的AgxO薄膜的热分解的临界温度偏高(约400℃),这已成为其未来产业化应用的瓶颈。制备单相Ag2O薄膜降低热分解临界温度(TTDT)当前研究的热点。基于此,本文利用直流磁控溅射技术(DC sputtering),通过改变沉积参数(反应气压和溅射功率)制备AgxO薄膜,摸索制备单相Ag2O薄膜的工艺参数。采用传统的真空环境下热处理技术,研究单相A