InN半导体电子迁移率、饱和漂移速率和渡越速度较高、带隙和电子有效质量较小，在未来高速高频厘米和毫米波电子器件、太赫兹辐射器件、高效太阳能电池等光电子领域有着重要的应用前景，使其成为近年来国际研究的热点。然而，由于InN低的离解温度、不稳定的化学剂量、高的氮气分子平衡蒸汽压、以及缺少匹配的衬底，使得制备高质量InN单晶薄膜非常困难。为此，本文利用MOVPE生长技术，通过调节不同的实验参数（包括生长温度、反应室压强以及Ⅴ/Ⅲ比），在蓝宝石衬底、GaN缓冲层上外延InN薄膜样品。运用原位监控干涉仪、SEM、XRD以及拉曼散射等不同的表征手段，结合基于第一性原理的ABINIT软件包计算的InN不同结构相声子谱，从实验测试和理论分析两方面开展了较系统的研究。主要得到如下结论：　　 不同温度(450-650℃)生长的InN晶体质量有显著差异。低温下生长的样品表面平整度较好，晶粒尺寸较小；随生长温度增加，晶粒逐渐聚集，变大，成三维岛。结合XRD、拉曼散射谱以及InN声子色散曲线计算结果分析可知，所有的样品均以纤锌矿结构InN为主，并带有少量闪锌矿结构。550℃温度下生长的样品的晶体平整度、结构性质、以及相纯度都比较好；450℃样品的相纯度与晶体结构性质次于550℃，可能是低温不利于源物质在其表面的迁移，易形成缺陷，特别是在较低温度(400-500℃)容易形成的InN闪锌矿结构相。较高温度下的样品无论从表面形貌、结构性质还是相纯度来说，都不理想，特别是当生长温度高于600℃时，XRD和拉曼谱中都出现了非纤锌矿结构和闪锌矿结构的未知结构峰。这可归因于InN热稳定性差，不易在表面附着并均匀成核，生长过程中易出现热腐蚀，结构不稳定等因素。　　 基于550℃最优生长温度，通过调节不同压强(150-450Torr)和Ⅴ/Ⅲ比(7000-25000)，进一步考察了InN外延条件对结构性质的影响。综合研究表明，在本文调节的反应室压强和Ⅴ/Ⅲ比范围内晶体结构性质的变化不如温度显著，但其中450Torr的压强和7000的Ⅴ/Ⅲ比所外延的晶体结构性质略好。