近年来,随着移动通信的快速发展,第五代移动通信系统（5G）已经逐渐成为学术领域和商用领域的焦点。5G通信的发展主要包括两个驱动因素,一方面是第四代移动通信系统4G已经得到全面的商用,并且人们对下一代新兴技术产品具备强烈的需求;另一方面,随着社会信息化的发展,数据的需求量越来越大,4G移动通信很难去达到未来信息化社会的要求,所以需要加快研发下一代5G通信系统。同时5G通信的发展也离不开射频微波电路的发展,这也促使着射频微波领域不断的去研究、去创新,进而研制出能满足5G通信要求的各种射频芯片,而在射频芯片领域,功率放大器是至关重要的,所以研制一款用于5G通信的功率放大器非常有意义。本文通过对功率放大器进行研究,设计了一款用于5G通信基站的MMIC芯片。确立了面向5G通信的Ga As＿HBT功率放大器作为研究的方向,主要研究成果如下:（1）分析HBT功率放大器传统的偏置电路,提出了一种有源自适应线性偏置电路用于提高芯片线性度。由于,HBT器件的二极管整流特性且它的自热效应特别严重,所以传统的基极偏置电路的温度稳定性和电流控制精度都很低,当大信号输入晶体管时,静态工作点会产生很大的改变,所以采用一种有源自适应线性偏置电路能非常好的提高电路的线性度,提升电路整体的性能。（2）采用谐波抑制结构设计末级输出匹配电路用于提高芯片效率,高的谐波抑制能力对功率放大器的效率有较好的提升作用,在输出匹配网络对有源器件输出端口的电压或者是电流中的高次谐波分量进行抑制,有源器件输出端口的电压波形和电流波形得到改变,使得功率放大器输出端口的电压、电流波形叠加部分大大的降低,因此有源器件的耗散功率将会减小,有效提升了功率放大器的效率。（3）通过上述研究设计好了一款3.3-3.6 GHz的HBT功率放大器芯片,并且完成了MMIC片上的ESD保护电路的设计,外围的基板、测试板（EVB）也完成了设计仿真,并且将MMIC芯片和基板进行了联合的仿真,仿真结果满足预设指标。MMIC芯片、基板和EVB板均已流片,已经完成了安装测试,经过不断的调试功率放大器在基板上的各种无源元件,来调节电路的各种性能参数,根据功率放大器最终测试结果,增益1 d B压缩点输出功率达到了33 d Bm,小信号增益达到了34.2 d B,输出功率回退至28 d Bm时,功率附加效率达到了23%,IMD3达到了-28 d Bc,功率放大器性能良好。