纳米金属颗粒薄膜是由尺寸为几个至几百个纳米的金属颗粒随机分布于绝缘体介质中构成的新型人工材料,无序、电子间的关联作用、量子限制效应等诸多效应共同决定着金属颗粒膜的电输运性质。目前,在金属颗粒膜中仍然存在许多新的物理现象和尚未解释清楚的物理问题。本文采用双靶共溅射的方法制备了一系列不同金属体积分数x的三维Crx（SiO₂）1x和Wx（SiO₂）1x颗粒薄膜,对其中的微观结构和电输运性质进行了系统研究。首先,本文研究了 Cr-SiO₂颗粒膜（0.67≤x ≤0.90）的微观结构和电输运性质。透射电子显微镜及X射线能谱分析的结果表明,在Cr-SiO₂颗粒膜中,Cr颗粒在SiO₂介质中的分布很不均匀,既存在Cr颗粒直接相连形成的尺寸较大的团簇,也存在大量尺寸约为1-3 nm的Cr颗粒随机分布于SiO₂介质中的微观结构。在Cr-SiO₂颗粒膜中,当温度高于～60 K时,霍尔系数RH随温度的变化满足ARH∞lnT关系,这一行为在～60 K时达到饱和,且在～60 K以下,RH不随温度变化。ΔRHoc∞lnT形式的修正行为可以采用金属颗粒体系中的电子—电子相互作用理论进行解释,金属颗粒中的虚电子扩散效应是RH修正的主要来源。低温下（～2-50 K）的Cr-SiO₂颗粒膜表现出Δσ∞（?）行为,这源于低温下的“Altshuler-Aronov”修正,但此修正项对低温下金属颗粒薄膜霍尔输运性质的影响并未在Cr-SiO₂体系中观察到。其次,本文研究了 W-SiO₂颗粒膜（0.28≤x ≤0.38）的微观结构和电输运性质。在W-SiO₂颗粒膜中,金属颗粒尺寸的大小在1-2 nm之间,且分布较为均匀。在低温区,W-SiO₂颗粒膜的电导率σ随温度的变化满足σ（T）∞ exp[-（T₀/T）^1/2]关系,并且随着x的降低,符合σ（T）∞exp[-（T₀/T）^1/2]关系的温度上限增高。本文分别采用Efros和Shklovskii等人提出的变程跳跃导电模型及Beloborodov等人提出的共隧穿模型对W-SiO₂样品的电输运性质进行了分析。