随着集成电路的快速发展，集成电路的集成度越来越高，从大规模集成电路发展到超大规模集成电路，传统集成电路工艺中的铝互连材料已经达到它的物理极限，不能满足集成电路新工艺的要求，必须有新的材料来替代传统的铝互连材料。使用电阻率较低的互连材料（Cu、Ag）来替代铝，可以减小互连材料的宽度和厚度，对降低互连材料的延迟时间起到非常重要的作用，同时也能提高集成电路的密度。金属铜（银）由于具有较低的电阻率和较好的热传导特性，是一种非常有前途的应用于极大规模集成电路的互连材料。金属有机化学气相沉积（MOCVD）是一种非常有前途的制备互连材料的技术之一。但该技术的关键是要寻找性能优良的适合于MOCVD技术的前驱体。本文的主要研究内容是设计、合成一系列有机膦稳定的、新颖的铜（Ⅰ）/(银（Ⅰ）的配合物（前驱体），对制备得到的配合物用元素分析、FT-IR、1H，13C{H} NMR以及X-射线单晶衍射对合成的配合物进行表征，利用TG-DSC对其热稳定性和分解机理进行了初步研究，最后筛选一种铜（Ⅰ）配合物作为前驱体，用MOCVD技术进行薄膜的生长，对制备得到的薄膜用SEM和EDX进行了表征。研究工作主要包括以下几个方面：一、有机膦稳定的N-乙酰基苯甲酰胺铜（Ⅰ）配合物的合成与表征以三苯基膦、三甲氧基膦、三乙氧基膦为辅助配体，N-乙酰基苯甲酰胺为主配体制备得到一系列有机膦稳定的N-乙酰基苯甲酰胺铜（Ⅰ）的配合物[C₉H₈O₂NCu Ln][L=PPh₃, n=2（1a）, n=3（1b）; L=P（OMe）₃, n=2,（1c）, n=3（1d）; L=P（OEt）₃, n=2（1f）, n=3（1e）]。对配合物[（Ph₃P）₃CuCl]进行了X－射线单晶衍射分析。最后，对制备得到的配合物用红外光谱、核磁共振、元素分析以及TG-DSC进行了表征，该配合物可作为制备Cu薄膜的前驱体。二、有机膦稳定的甲磺酸铜（Ⅰ）配合物的合成方法研究以及CVD法制备铜膜对有机膦稳定的甲磺酸铜（Ⅰ）的合成方法进行了研究，以甲磺酸铜（II）和金属铜为原料，在有机膦的存在下进行反歧化反应，制备得到一系列目标配合物。该方法具有反应条件温和，产率高，副反应少和反应完全等优点。克服了文献报道的方法存在反应不能完全进行的缺点。对水合甲磺酸铜（II）[Cu（O₃SCH₃）₂4H₂O]和配合物[（Ph₃P）₃CuO₃SCH₃]（2c）进行了X－射线单晶衍射分析。利用合成得到的配合物（2e）作为前驱体，用化学气相沉积的方法进行薄膜生长实验，成功生长出性能优良的薄膜材料，用SEM和EDX对材料的特性进行了表征。三、有机膦稳定的亚氨基二乙酸二银（Ⅰ）配合物的合成和表征以三苯基膦、三乙氧基膦为辅助配体，亚氨基二乙酸阴离子为主配体制备得到一系列有机膦稳定的亚氨基二乙酸二银（Ⅰ）配合物[Ln AgO₂CCH₂NHCH₂CO₂Ag Ln][L=PPh₃, n=2（3e）; n=3（3f）; L=P（OEt）₃, n=2（3g）; n=3（3h）]，并对产物分别用红外光谱、核磁共振（1H NMR，13C{H}NMR）、元素分析进行表征。另外，对配合物[（Ph₃P）₂AgNO₃]（3a）和{[（EtO）₃P]₂AgNO₃}（3c）用X-射线单晶衍射进行了晶体结构解析。