多电飞机、混合动力汽车等新型交通运输方式的发展方向，对电力电子变换器提出高效率、高功率密度等要求。高功率密度变换器的关键在于高开关频率及较高工作结温。硅半导体功率器件经过数十年的长足发展，其性能已达到理论极限，成为制约高功率密度变换器发展的瓶颈之一。与硅功率器件相比，宽禁带碳化硅功率器件具有高开关速度、较低损耗及较高结温等优势，进一步提高电力电子变换器效率，降低其体积、重量。　　然而，基于碳化硅器件的高速开关变换器，工作频率高达数百kHz，线路寄生电感及功率器件结电容等非理想参数的影响不可忽略。RLC谐振网络产生漏源极电压尖峰及桥臂串扰电压，严重制约了桥臂结构电路的高速开关能力。在保证高开关速度的前提下，尽可能降低漏源极电压尖峰及桥臂串扰电压，为此构建了桥臂结构电路的等效电路及数学模型。该数学模型在双脉冲电路中得到实验验证，研究了栅极驱动电阻及线路寄生电感对高速开关能力的影响。基于以上实验结果，采用直流去耦电容消除了部分功率回路寄生电感的不利影响，对漏源极电压尖峰具有抑制效果；采用包含有源低阻抗支路的桥臂串扰抑制驱动电路有效抑制了桥臂串扰现象；尽可能减小共源极电感，消除其对于高速开关的负反馈作用。考虑到实际变换器中功率器件自加热现象及具有研究前景的高温应用领域，研究了SiC MOSFET在工作结温分别为25℃及95℃时的开关特性。最后，针对桥臂结构电路提出了适用于高速开关行为、最小化线路寄生参数的布局设计。　　与双脉冲电路相比，SiC MOSFET永磁同步电机驱动器承受更高漏源极电压尖峰。由散热器产生的寄生电容并联在上桥臂SiC MOSFET两端，大幅恶化了上桥臂SiC MOSFET的开关特性。考虑到SiC MOSFET封装结构，上下桥臂采用分立散热器的方案，能够消除寄生电容支路带来的不利影响。该SiC MOSFET永磁同步电机驱动器样机工作频率达到100kHz，能够获得较高基波频率及较小电流纹波脉动。同时，利用SiC MOSFET高速开关优势，能够大幅减小死区时间，较大程度缓解了死区效应的不利影响。实验结果证明该SiC MOSFET永磁同步电机驱动器样机具有较高效率及较好动态性能。