【摘 要】
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在MOCVD制备薄膜技术中,由于有些元素的金属有机物先体难于制备和使用,因此采用MOCVD制备的薄膜种类有限,限制了该技术的进一步发展.因此,为解决气相沉积制备薄膜过程中源物
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在MOCVD制备薄膜技术中,由于有些元素的金属有机物先体难于制备和使用,因此采用MOCVD制备的薄膜种类有限,限制了该技术的进一步发展.因此,为解决气相沉积制备薄膜过程中源物质问题,扩大可选源物质的范围,我们采用了一种新的薄膜沉积技术——等离子体雾态气化(MPE)技术,制备了TiO<,2>、LaNiO<,3>、BaTiO<,3>、SrTiO<,3>和(Ba,Sr)TiO<,3>薄膜.在MPE制备薄膜技术中,可采用硝酸盐或氯化物等无机物的水溶液为先体,使用超声雾化将先体溶液雾化成雾滴,用载气将雾滴输运到射频感应热等离子体炬中,利用等离子体的高温(约5000℃),将雾滴中的源物质分解为原子、分子或离子等反应活性粒子.等离子体中的高冷却速率使过饱和蒸发组份有限形核生长,在等离子体尾焰中生成沉积组份的纳米粒子,在温度低于等离子体的基片上反应沉积,生成薄膜.该薄膜沉积技术结合了MOCVD和sol-gel的优点,可采用无机物水溶液作为先体,源物质来源广泛,沉积速率高,薄膜制备周期短,运行成本低.
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