钛酸钡（BT）陶瓷具有典型的钙钛矿结构,是目前应用最广的电子陶瓷材料之一。目前常采用掺杂、包覆、制备复合陶瓷等改性方法进一步改善其介电性能。前期采用溶胶-凝胶法制备了Sr、Tm掺杂Ba_0.7Sr_0.3Ti_1-3/4yTm_yO₃（y=0-0.05）陶瓷。发现当y=0.01时,其介电常数提高至百万级,但介电损耗也随之增大。为了制备高介电常数、低介电损耗及良好的介电温度稳定性的陶瓷,本文在此基础上采取了改性方法。利用溶胶-凝胶法制备了Ba_0.7Sr_0.3Ti_0.9925Tm_0.01O₃（BST）粉体,并以此为基体通过溶胶-凝胶法制备了BST@SiO₂、BST-Al₂O₃、BST-Graphene复合陶瓷,研究了改性陶瓷的制备工艺及SiO₂、Al₂O₃、石墨烯对BST陶瓷组织及性能的影响,结论如下:（1）BST@SiO₂陶瓷粉体经透射电镜、红外光谱验证其形成了“核-壳”结构,BST陶瓷颗粒外均匀包覆了一层SiO₂非晶薄膜。经烧结后陶瓷块体出现Ba₂TiSi₂O₈相,晶粒尺寸锐减至150 nm,但孔隙率增加。随SiO₂含量的增加其介电常数逐渐下降,最终降至3000左右,但介电损耗也随之减小至0.15左右;居里温度首先降低,然后向高温移动。（2）BST-Al₂O₃陶瓷具有均一的钙钛矿相,透射电镜、红外光谱验证其生成了Al₂O₃。BST-Al₂O₃陶瓷晶粒尺寸略有减小。随其含量的增加,陶瓷介电常数逐渐下降,最终降至10000左右,但介电损耗也减小至0.1左右;Al₂O₃可以拓宽陶瓷居里峰,当添加量为5%时居里峰几乎为平坦的直线;居里温度首先降低,然后向高温移动。（3）BST-Graphene陶瓷具有均一的钙钛矿相,烧结后陶瓷晶粒尺寸变化不大。随石墨烯添加量的增加其介电常数逐渐下降,最终降至4000左右,但介电损耗减小至0.01左右;居里温度首先降低,然后向高温移动,后又降至低温。