微通道由于有其特殊的结构因而能够应用在很多领域，如微通道板，微型热传导器件，微全分析系统，以及微型化工设备等。近年来，由于硅微通道板在增益提高以及图像分辨率改善具有传统的微通道板材料中空玻璃纤维方面无可比拟的优势而倍受重视。电化学刻蚀方法制作硅微通道技术是一种由宏多孔硅技术发展而来的，具有高深宽比和成本低廉的优点。 本文在广泛调研相关文献的基础上对影响电化学深刻蚀制作硅微通道技术的因素进行了深入的分析。对电化学刻蚀技术进行硅微通道制作的机理进行了详尽的理论和实验探索，并探讨了自动剥离现象产生的原因。论文包括以下几个方面： 第一章首先介绍了微通道结构的应用，并从MEMS技术入手介绍了硅微通道的制作主要技术，介绍了硅的电化学深刻蚀技术的原理，发展和特点，以及本文所开展的工作。 第二章则从多孔硅的形成原理出发，介绍了硅电化学刻蚀形成微通道的原理、本文研究的实验条件以及所采取的具体技术。 第三章讨论了采用电化学刻蚀方法制作微通道结构的影响因素。微通道所有结构特征包括孔径、孔壁平滑度、刻蚀深度、表面形态、开口大小等，会受到电化学刻蚀条件的影响。这些条件主要包括刻蚀溶液中HF的浓度、刻蚀电压与电流、刻蚀时间、光照条件、环境温度等。本文主要进行了P型硅在上述条件下的研究。 第四章对实验过程中出现的硅微通道自动剥离现象进行深入的研究，刻蚀溶液中HF的深度和实验过程中的电流密度是发生自动剥离现象的决定性原因。基于此发现本文提出了一种新型的一步分离法，来完成了微通道结构众硅衬底上的分离。 第五章对全文进行总结，并对硅微通道技术进行了展望。