掺杂SnO<,2>薄膜是一种新型的Ⅳ-Ⅵ族宽禁带透明导电薄膜材料,它在可见光范围内有好的透光性,在红外区有高的反射率,以及良好的电导率,因此在电子、电气及光学等领域都有十分广泛的应用,是信息产业中不可缺少的氧化物半导体材料.该实验用F和Sb两种杂质原子对SnO<,2>膜晶体进行掺杂,通过选取适当的制备工艺,在300℃~600℃温度范围内,用喷涂法在n型Si衬底及玻璃衬底上制备了透明导电SnO<,2>膜.结果,掺杂Sn0<,2>薄膜获得了优良的电学和光学性能参数,薄膜电阻率为10<-3>Ω·cm、在可见光范围透光率为85％~95％、红外光反射率达80％以上.样品在O<,2>及N<,2>气氛中进行一定温度范围的退火处理后,其薄膜电阻率变化.最后对其样品的光电性能进行分析和讨论,这对控制和发挥其优良的光电性能和进一步的理论研究与产品研发提供有意义的指导.该论文的安排是先简介了透明导电Sn0<,2>膜在电子功能薄膜材料中的基础性地位,对Sn0<,2>薄膜的晶体结构、物理和化学性质以及其制备过程作了说明,然后就半导体材料的光电学的基础知识作了回顾,重点分析了Sn0<,2>膜光电性质,同时还探讨了在石英玻璃和p、 n型Si片衬底上制备的Sn0<,2>薄膜光电性质对衬底种类、制备工艺以及制备参数的依赖关系,最后作了总结.