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硅(Si)由于超高的理论比容量(~4200 mAh g~(-1))、低工作电位(~0.5 V)、而被认为是锂离子电池中最有发展潜力的负极材料之一。但是,硅的电子导电性较差,在充放电过程中会发生剧烈的体积变化,导致硅颗粒粉碎,并随之连续形成不稳定的SEI膜从而使电化学性能降低。因此本文主要通过合成硅基复合材料例如硅@氮掺碳(Si@N-C)、硅/氮掺碳@二氧化硅(Si/N-C@SiO_2),硅/氮掺碳@二氧化钛(Si/N-C@TiO_2)等来改善硅的电化学性能。通过物理表征手段分析复合材料的结构,通过电