众所周知航空航天技术是国之利器并且正在高速发展,全世界有越来越多的航天器被送入太空中,而太空中存在大量的辐射,这些辐射会对航天器的内部器件造成危害,可能使得器件的性能降低,甚至严重时会造成电子系统整体失效。而不断缩小的器件特征尺寸,又给航天器带来了更加严峻的考验,其中单粒子效应更为严重。同时各种新结构、新材料的引入又给抗单粒子效应带来了更多难题。因此,本文将会围绕BOI（Body-On-Insulator,BOI）FinFET器件和GOI（Germanium-On-Insulator,GOI）FinFET器件展开了单粒子效应的研究,为新型的纳米级器件和集成电路的抗单粒子加固的设计提供参考。本文主要工作如下:本文首先通过仿真模拟,研究了主要结构参数和工作电压（Vdd）,对BOI FinFET器件单粒子效应的影响。仿真结果表明单粒子效应会随着器件的Fin宽减小而减轻,但是会随着栅长的减小而加重;所以应当选择更加合适的结构参数,使单粒子效应带来的困扰有效的降低。同时,还分析和对比了体硅（Bulk）FinFET、BOI FinFET和SOI（Silicon-On-Insulator,SOI）FinFET的单粒子效应。可以发现当减小Fin宽时,三者的单粒子效应的变化趋势是总体上是相似的,但是当Fin宽发生变化时,SOI FinFET器件的单粒子瞬态,与其他两种器件相比所受的影响比较小,而BOI FinFET器件与Bulk FinFET器件相比前者单粒子瞬态要略微小一点。当减小栅长时SOI FinFET器件的单粒子瞬态则会随着栅长的减小而加重,而Bulk FinFET和BOI FinFET器件的单粒子瞬态则是一开始减小后反而增大。当工作电压减小时三者的单粒子瞬态电流的峰值会减小,而单粒子瞬态电流的脉宽则会变大,但是总的收集电荷量基本保持不变。同时还研究了GOI FinFET器件的单粒子效应,并与SOI FinFET进行了比较。结果表明,GOI FinFET器件电流脉宽、收集电荷量和瞬态电流峰值均会随着Fin宽的减小而减小。与SOI FinFET器件相比较,Fin宽变化时GOI FinFET器件单粒子效应的变化更显著。当栅长减小时,则出现了相反的情况,单粒子效应变得更加的严重,并且在栅长较小时,GOI FinFET器件的收集电荷量要远大于SOI FinFET。上述结果表明,对于锗（Ge）材料的器件,其抗单粒子加固的设计将面临更大的挑战。