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多晶硅导电材料作为集成电路和光伏产业重要的基础材料,它在辐射环境下性能的退化对航天电子器件和系统的运行可靠性具有巨大影响。多晶硅导电材料常规电学表征参量对辐射损伤不灵敏,而噪声与材料内部缺陷密切相关,可以忠实反映材料内部的辐射损伤变化。本文研究既可用于多晶硅导电材料辐射损伤,又可用于器件辐射效应的噪声表征技术。本文结合多晶硅导电材料的实际应用环境设计了四种类型共十一个电阻器样品,几乎涵盖了多晶硅导电材料在集成电路中所有应用类型。样品采用既能够真实的反映多晶硅导电材料的辐射损伤,又便于噪声