在半导体制造流程中,湿法清洗是作为承担污染物清洗并确保产品良率稳定极其重要的工艺站点,研究湿法工艺中所遇到的缺陷问题是非常有意义的课题。本文将主要介绍湿法清洗的概念与原理,总结归纳湿法工艺中常见的缺陷类型与产生机理,并重点以光刻胶残留,栅氧成膜厚度异常与Scrubber V型缺陷三种疑难缺陷为实例进行深入分析与研究。对于钴硅化物预清洗站点的光刻胶残留缺陷,通过分析该缺陷的分布图形与类型,结合该工艺程式与硅片浸润性等理论依据并通过实验验证了缺陷来源为HF药液槽,最后通过增加SC1清洗解决了光刻胶残留问题,将产品良率提高了1%左右。对于栅氧成膜厚度异常,通过结合膜厚异常区域与进入机台相对应位置关系,并分析机械臂的作业模式局限性与实验验证确定了缺陷成因为硅片被机械臂搬送震动时掉落的含硫结晶物污染,最后通过改善机台硬件参数与将硫酸槽浸泡时间延长到180秒来解决成膜异常。对于Scrubber V型缺陷,通过分析机台结构原理与各种清洗功能的特性,并设计一系列的实验进行排查,得出了V状图形缺陷的成因为来源翻转腔的含油性颗粒物被高压jet打散后加上硅片的旋转效应而形成,最后通过制定机台保养清理流程与在关键工艺清洗站点将jet改变为spray的作业程式加以解决与预防。