等离子体化学气相沉积(PCVD)P-B-Si-N复合薄膜表面强化工艺研究

来源 :中国地质大学 中国地质大学(武汉) | 被引量 : 0次 | 上传用户:cash625
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PCVD技术的关键在于适宜的设备及相应的工艺参数.在查阅大量国内外文献及考察相关试验设备的基础上,对实验PCVD设备进行了改造,改造后的设备具有可在两极板间任意处成膜;放电功率利用充分;加热均匀,工件成膜温度控制精确;可自由控制等离子体中带电粒子能量等优点.该论文在此设备上做了大量PCVD工艺试验.测试了薄膜的显微硬度、膜基接合强度、薄膜的元素组成、薄膜组成物质的X光衍射分析,得出薄膜的组成结构是非晶态下有显著的晶相h-BN和c-BN组织.总结出薄膜性能随主要工艺参数的变化规律:随着工作气压的增加,薄膜与基体接合强度,薄膜硬度和沉积速此降低;随着负偏压的增加,薄膜的显微硬度、膜基接合强度增加.并在此基础上,提出薄膜的成膜机理分为三个阶段:活性物种的产生;活性物种在试件表面成核的过程;核长大成膜的过程.
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