由于碳化硅（SiC）半导体材料具有较宽的禁带宽度以及对紫外光的吸收率高,使其在紫外光控器件方面受到高度的关注。但是,SiC材料对可见光、近红外光并不敏感,从而限制了其在非紫外光器件领域的应用。因此,本文使用低压化学气相沉积法在4H-SiC衬底表面沉积一层具有择优取向的锗（Ge）薄膜,再利用转移法在Ge薄膜表面转移单层石墨烯,制备了SiC基石墨烯/Ge异质结,并对该异质结进行了材料特性与电学特性的表征。结论如下∶1.使用LPCVD法在4H-SiC（0001）衬底表面生长了择优取向为<111>的Ge薄膜。生长温度为850℃,H₂和GeH₄的流量之比为100∶20（单位∶sccm）,生长时间30min,Ge薄膜的晶粒尺寸以及晶面间距分别为9.05nm和0.11nm;2.利用干法、湿法转移法转移石墨烯并进行表征。干法转移石墨烯的2D峰与G峰强度之比为1.5,并且G峰与D峰强度之比为7.3,2D峰与洛伦兹曲线拟合;湿法转移石墨烯的I_G/I_D=5.8,I_2D/I_G=2.2。说明两种方法都成功将单层石墨烯转移至衬底上,干法转移的石墨烯重金属残留较少、胶体残留较少,薄膜质量较高;3.对SiC基石墨烯/Ge异质结进行了透过率测试,该异质结在500-1200nm波长范围内的透过率都低于15%,Ge薄膜对可见光、近红外光波段的吸收起到了主要的作用;4.暗状态下,SiC基石墨烯/Ge异质结具有较好的整流特性,反向漏电流较小,±3V时的整流比超过4.0×10³。在近红外光功率密度为0.1Wcm^-2时,该异质结的光生电流为0.147μA/cm²,初步达成异质结的光电响应。