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多晶硅(pc-Si)薄膜作为一种光电信息材料,有着不同于体材料的许多物理特性,这使其在光伏器件中有着潜在的应用价值。本工作以石英玻璃为衬底,利用高频化学气相淀积(HFCVD)和低压化学汽相淀积(LPCVD)两种不同的方法生长多晶Si薄膜,通过改变生长条件来生长不同厚度和不同结晶质量的多晶Si薄膜。对HFCVD生长的多晶Si薄膜,得到晶粒尺寸为1~3μm,且排列致密的多晶硅薄膜,实验采用高温扩散炉对其进行了不同温度和时间的高温硼(B)掺杂,然后对其电学特性进行测量,得到了最小方块电阻为100Ω/□;对