【摘 要】
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本论文研究了低频高介X8R系列EMI用滤波电容器陶瓷材料及其制备方法。论文利用金属-电介质复合法将金属单质M添加到BaTiO3基体材料中,分析了金属-电介质复合材料的内部作用机
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本论文研究了低频高介X8R系列EMI用滤波电容器陶瓷材料及其制备方法。论文利用金属-电介质复合法将金属单质M添加到BaTiO3基体材料中,分析了金属-电介质复合材料的内部作用机理。金属在高温熔融状态下与电介质之间的相互作用关系可由渗透理论来描述。实验中通过对金属-电介质复合材料体系合成工艺的探索、助熔剂的选用及烧结条件的研究,使得该复合材料能够适应EMI滤波电容器对大电容量的要求,得到了性能优良的新型中温烧结X8R电介质材料。其各项性能指标如下所示（烧结温度1150℃）:介电常数:ε≥5200容量变化率:ΔC/C≤±8% （-55℃～+150℃）介质损耗:tgδ≤1.5%绝缘电阻率:ρv≥2×1011Ω·cm实验还在以前研究的基础上利用先驱体B位复合取代法制备高介电常数BaTiO3-NiNb2O6-MnNb2O6系统陶瓷材料,并加入适量助熔剂实现中温烧结,使材料可以使用Pd30%-Ag70%的材料作为内电极。制备出性能良好的X8R瓷料,同时对先驱体合成取代机理及系统介电性能进行了分析。所得系统的介电性能如下（烧结温度1150℃）:介电常数:ε≥4200容量变化率:ΔC/C≤±15% （-55℃～+150℃）介质损耗:tgδ≤1.2%绝缘电阻率:ρv≥1012Ω·cm
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