【摘 要】
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在半导体技术飞速发展的今天,芯片的生产成本日益提高,这就使得我们提高芯片的良率显得至关重要。同时,在新的工艺节点下器件生产过程中带来的偏差和仿真模型带来的偏差都更
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在半导体技术飞速发展的今天,芯片的生产成本日益提高,这就使得我们提高芯片的良率显得至关重要。同时,在新的工艺节点下器件生产过程中带来的偏差和仿真模型带来的偏差都更容易引起生产出的芯片的参数与最初设计的值有所偏离,从而引入了熔丝技术,由此我们可以利用电熔丝将芯片中的冗余电路替换掉失效的电路来提高良率,也可以对电路进行重新组合来实现新的功能,还可以对芯片的某些参数进行微调(TRIM)来提高芯片的性能。但是传统的熔丝技术与主流的标准CMOS工艺并不兼容,导致成本偏高,而新兴的电子可编程熔丝(eFuse)同时具有体积小、成本低、可以在封装后再进行编程等众多的优点,所以电子可编程熔丝技术成为了一个新的研究热点。本文首先总结了eFuse当前的国内外研究现状,然后基于中芯国际40纳米低漏电CMOS工艺,从eFuse器件的类型选取入手,设计了并入并出的4K bits容量的eFuse IP,并成功地进行了流片和测试,测试结果满足设计要求。因为eFuse的存储器特性对IP的面积要求极为严苛,所以我们又通过了一个章节的篇幅来简单介绍了一种能够使大容量eFuse的IP节省约三成面积的优化方案,其优化效果显著。
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