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聚合物发光器件(Polymer light-emitting diode,简称PLED)由于其广泛的应用,引起了人们极大的兴趣,并取得了长足的发展。但是目前产品的性能尚非尽善尽美,器件的稳定性和发光效率还有待进一步提高,以满足高技术领域的更广泛的应用要求。针对聚合物发光器件目前所存在的问题,本论文的研究重点在于器件的制备工艺,并取得了一定的研究成果。(1)利用原子力显微镜、接触角测试仪、紫外分光光度计从微观角度研究了乙醇、氢氧化钠、浓硫酸、氧等离子体处理对ITO薄膜的表面性能和光电性能的影响。经氧等离子体处理后,ITO薄膜的表面粗糙度减小,平整度提高,提高了ITO薄膜表面的润湿性能,改善了有机物在其表面的成膜性能。另一方面,氧等离子体处理使ITO薄膜表面的富Sn氧化物进一步氧化,形成稳定的SnO,减少了ITO薄膜表面的氧空位和Sn4+数量,使其功函数增大。因此,采用氧等离子体处理的ITO薄膜作为OLED的阳极将降低发光器件的开启电压,提高其发光效率。(2)利用原子力显微镜、紫外分光光度计对MEH-PPV薄膜表面性能以及电性能进行了研究,讨论了薄膜制备工艺对器件性能的影响。结果表明:热处理、退火能够改善薄膜的表面形貌,从而增加了膜层与电极之间的有效接触,优化了器件性能;另外,旋涂成膜转速的变化,引起膜厚的变化,从而引起器件的J-V特性变化。(3)采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层(HTL),8–羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层(EML),制备了结构为ITO/PVK(060 nm)/Alq3(60 nm)/Mg:Ag/Al聚合物发光二极管(PLED),通过测试器件的电流–电压–发光亮度(J–V–B)特性,研究了空穴传输层厚度对PLED器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,PLED的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,空穴传输层厚度为15 nm时,PLED器件具有最低的起亮电压,最高的发光亮度和最大的发光效率。