半导体工艺技术的进步促进了集成电路在小型化、低功耗、高输出功率和高集成度等方面的进步,对集成电路的测试技术和要求也不断提高。根据新的测试需求需要设计10-40GHz集成电路在片测试平台以迎合工程化应用,平台采用在片的方式全面测试芯片的电性能参数,可以保障装配的成品率、完善集成电路的批生产技术,实现产品的生产过程控制。论文首先对10-40GHz IC性能参数进行了分析和归纳,设计了基于半自动探针台和网络分析仪等测试仪器的10-40GHz集成电路在片测试平台,该平台由多功能多参数在片测试子平台和脉冲功率在片测试子平台组成。通过分析相关仪器的测试校准技术,对部分校准方法进行优化,以适用于在片测试工程化应用。在多功能多参数在片测试子平台方面,设计了多功能驱动器,以提供满足集成电路测试所需要的不同驱动信号。在脉冲功率在片测试子平台方面,对直流探针卡偏置电路进行优化设计解决功率放大器在片测试稳定性问题,通过嵌入前置放大器的方法提升脉冲功率在片测试子平台的驱动能力,并且能够快速测试放大器的附加效率,实现功率放大器的快速在片测试。测试平台验证结果表明设计达到指标要求。论文通过部分技术的优化,实现了简易、便捷的校准、测试,同时实现了在片测试的自动化,使得测试平台具备高重复性、稳定性和易操作性,适用于在片测试的工程化应用,可以应用于10-40GHz单片集成电路的电参数测试。