当近红外激光场激发下的半导体受到强太赫兹场作用时,电子脱离空穴,由价带激发到导带;电子紧接着在强太赫兹场中加速获得能量;最终,电子和空穴复合激发出高能光子并产生高阶边带光谱。此为高阶边带产生的三步走模型。太赫兹场作用下的高阶边带谱与高次谐波谱具有相似的特点,均存在平台区域,且电子从太赫兹场中获得的最大动能为3.17UP,光子从电子—空穴对复合过程中可获得的最大能量为:Emax= 3.17UP+IP(UP和IP分别为有质动能和电离势)。最大能量决定了平台的截止区域,在研究中有重要的地位。为了探索高阶边带产生的特性,我们分别研究了在线偏振场和垂直双色太赫兹场作用下的高阶边带谱特性,主要内容如下:1)首先在绪论中通过高次谐波的产生引出高阶边带的产生,阐述了两者存在异同点并给出简要的理论解释;介绍了高阶边带产生的实验研究进展,以及其在未来通信和光电中潜在的应用。2)然后在第二章利用鞍点法和精确的解析解研究了在线偏振太赫兹场作用下高阶边带谱特性。研究结果表明,两种方法得到的结果具有很好的一致性。近红外场的激发频率对高阶边带谱具有显著的影响作用,当负失谐(ΩEg且小于3.17UP)时,不通过量子隧穿效应进行产生,但随着失谐量的增加平台区域收缩;当失谐量大于3.17UP时,高阶边带光谱无平台区域且在激发频率和带隙附近出现峰值。激子在太赫兹场中加速时,库仑相互作用使高阶边带的强度增加,但不改变高阶边带光谱的特性。3)最后在第三章研究了在垂直双色太赫兹场作用下高阶边带谱产生的特性。主要利用精确的解析解和鞍点法进行分析和讨论:在x,y方向上,当太赫兹场幅值相同且频率比为有理数时,每个方向上获得的最大动能为3.17UP。由于两方向上的相互作用只有频率相同与相位同步时,动能可达到最大且值为Emax=6.34UP+IP。x,y方向的相位差为0或π时,太赫兹场为线偏振,边带谱强度最大且平台区域最宽;相位差为π/2时,为圆偏振场,边带谱强度最小且平台区域消失。还分析和讨论了激发频率、振幅比和相位差对高阶边带谱的影响。