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GaN是重要的宽禁带化合物半导体材料,广泛应用于制备蓝光LED、半导体激光器和高频大功率半导体器件。了解GaN的表面反应机理,对于提高GaN薄膜生长质量至关重要。本文采用基于DFT理论的量子化学计算,针对MOVPE生长GaN(0001)-Ga面的吸附和扩散进行研究。论文主要结论如下:(1)Ga(NH_2)_3、MMG(NH_2)_2、DMGNH_2在理想GaN(0001)表面均以分子形式吸附,每种粒子均有几种不同的吸附构型。三种粒子相比,Ga(NH_2)_3最容易在表面吸附,DMGNH_2最难吸附。