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CdSe纳米材料属于II～VI族直接带隙纳米半导体材料，具有独特的物理和化学特性，在很多领域内都有着很大的应用前景。由于半导体纳米材料的各种性质均与其形貌、结构息息相关,因而近年来很多材料领域的科研工作者们纷纷致力于CdSe纳米材料的形貌调控、表面修饰、合成方法等方面的研究，取得了光、电、磁等方面的大量研究成果，并不断地推进着CdSe纳米材料及其复合材料的研究与发展。本文的研究工作主要可以分为以下两个方面：1）CdSe纳米晶的制备与性能研究。本文制备CdSe纳米晶的方法有两种：无模板水热反应法和聚合物模板法。在无模板水热反应法制备CdSe纳米晶过程中，我们以氯化镉、亚硒酸钠、氨水等为反应原料，通过调控反应时间为2h、5h、10h，可以分别制备得到六方相的树枝状、棒状及由树枝状到棒状过渡的簇状CdSe纳米晶，探讨其形成机理及结构性能可知，最终生成的纳米晶的结构形貌主要决定于晶核的晶型、晶面能效应和晶体生长环境。在聚合物模板法中，我们以醋酸镉、硒粉为反应原料，聚乙二醇（PEG）为聚合物模板，乙二醇苯醚为溶剂，采用XRD、UV-Vis、TEM等测试手段来表征产物，实验结果显示所制备得到的CdSe纳米晶的结构、形貌、光学性能随镉硒配比的改变而变化显著，而PEG加入量的影响则相对较小。2）P3HT/CdSe纳米复合材料的制备与性能研究。以氧化镉为镉源，硒粉为硒源，液体石蜡和油酸（LP-OA）为溶剂，P3HT为共轭高分子模板，通过这种反应体系直接地合成了P3HT/CdSe纳米复合材料。实验中考察了镉/硒摩尔比，反应温度，Cd/P3HT配比（P3HT加入量）对P3HT/CdSe纳米复合材料形貌和光学性能的影响，研究发现在镉/硒摩尔比为1:2,反应温度为260℃的反应条件下,可以获得粒径均匀分布的规则球状CdSe/P3HT纳米复合物，该产物具有最佳的荧光淬灭效果，而调节镉/硒摩尔比为2:1至4:1时，可以获得四足状CdSe/P3HT纳米复合物。在这些CdSe/P3HT纳米复合物的形成过程中，P3HT和油酸分别起了导向模板和表面活性剂的作用，影响限制着CdSe纳米晶的形貌与结构。将CdSe/P3HT纳米复合物按一定比例与不同阴离子复合制成溶液，通过表征其光学性能，研究发现阴离子对CdSe/P3HT纳米复合物均有不同程度增强作用，以OH-最为明显，且荧光强度随着离子浓度的增加而增加，但幅度逐渐放缓。