胶体量子点探测器因为其平面型,工艺简单,更利于集成等特点成为研究的热点课题,量子点的尺寸分布越来越好,目前合成方法的发展使得在有机溶剂中制备的量子点颗粒单分散性越来越好,量子效率、结晶度得到较好的保证,从而使量子点应用范围得到了扩大。　　 本文主要研究的主要问题是对以前关于胶体量子点的文献进行总结,归纳,推导,综述,并对探测器所涉及的原理特性,制备工艺过程中的光刻影响,光响应模拟,以及胶体量子点二极管探测器中的载流子分布进行探讨。　　 首先对以往关于量子点材料进行综述,归纳量子点材料的制备方法,和生长模式,并着重对胶体量子点的制备方法,探测器的制备研究进展进行研究,对探测器的参数进行推导。　　 其次,研究不同光刻条件,例如光源,曝光,光刻胶,烘烤温度,烘烤时间,显影时间等因素对光刻过程结果的影响,并得到模拟结果的图形,很好地展示了这些因素可以很好地应用在指导实验中,也就为工艺制备提供了便利。　　 最后,对胶体肖特基二极管型量子点探测器进行特性方面的模拟,计算电流密度,电容特性,构造探测器结构,对其探测性能进行模拟,得到其特性曲线,计算了载流子浓度的分布。研究光谱响应,噪声响应,探讨不同电极材料情况下的Ⅰ-Ⅴ特性利用该模型推导了稳态光照下的光谱模型。