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有机光电器件具有质量轻、膜厚薄、制备易、成本低廉、可以制作柔性器件等诸多优点,经过几十年的不断发展其已经逐渐走向实用化和商品化。作为新兴产业,有机光电器件有广阔的应用前景,但是其工业化水平不是很成熟,还存在很大的提升空间,其中,金属电极和有机材料的接触界面一般会有较大的势垒。本论文的主要工作是通过电极修饰来降低接触势垒,从而提高有机光电器件的性能,所做具体工作如下:首先,我们用电化学方法处理ITO,将ITO和钼片分别作为阳极和阴极,用稀盐酸溶液作为电解液。与用酸溶液浸泡ITO的方法不同,在电场的作用下,溶液中的正、负离子会发生定向的漂移运动。处理后的ITO在近红外区域的透射率有所提高;用稀盐酸溶液进行电化学处理ITO,并用处理后的ITO制成了OLED,处理ITO后器件的开启电压降低~1V,器件亮度提高到50000Cd/m2,功率效率达到681m/W,与未处理过的器件相比提高了47.2%。其次,我们研究了用P型半导体材料pentacene做电子注入层修饰ITO做阴极对器件性能的影响,利用不同厚度的pentacene制作结构为ITO/pentacene(Xnm)/Cs2CO3(2.5nm)/BCP(7nm)/C60(40nm)/CuPc(20nm)/MoO3(10nm)/Al(150nm)的倒置太阳能电池,当pentacene的厚度为2.5nm的时候,器件的短路电流为2.62mA/cm2,能量转换效率为0.364%,较未加入pentacene的器件相比提高了18.6%,开路电压为0.526V,较未加入pentacene的器件相比,提高了8.45%。最后,我们研究了氨水溶液电化学处理Al修饰ITO作为阴极的倒置结构有机太阳能电池,具体做法如下:首先通过在ITO电极上沉积不同厚度的A1进行修饰并制作倒置结构器件,优化出当A1的厚度为2nm时,器件的效率提高的较好;将长有2nm Al的ITO作为电解池的阴极,钼片作为阳极,氨水溶液作为电解液进行电化学处理,之后制成OPV,结果说明沉积Al为2nm,电化学处理时间为40s时,可以最大的提高器件性能,此时的填充因子为54.6%,光电转换效率达到0.456%,与未处理过的ITO做电极的器件相比,分别提高了5.2%和29.2%。