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有机半导体材料按照加工方式可以分为真空蒸镀型材料和溶液加工型材料,溶液加工型有机半导体材料以其显著的加工优势成为高迁移率材料的发展方向之一。可溶性共轭齐聚物不仅易于提纯,而且可以通过溶液旋涂等方式制备大面积薄膜。另一方面,含S稠环芳香化合物通常具有高迁移率特征。有鉴于此,论文设计与合成了由1个苯环、三个噻吩环组成的稠环单元BTTT和β-十一烷取代的BTTT(BTTT11),以它们为构筑单元,合成了2个系列可溶性共轭齐聚物,并研究了这些齐聚物的迁移率性质。主要结果如下:
1.采用Stille交叉偶联反应,合成了3个由2-烷基噻吩和BTTT组成的共轭齐聚物,即BTTT-T-12、BTTT-T-8和BTTT-T-6,它们的烷基取代基分别为正十二烷基、正辛基和正己基。通过真空蒸镀制备了有机薄膜晶体管(OTFT)器件,场效应迁移率最高可达0.53 cm2V-1s-1。
2.采用Stille交叉偶联反应,用BTTT11对不同噻吩齐聚物进行封端,合成了DBTTT11、T-BTTT11、T2-BTTT11、T4-BTTT11和TPT-BTTT115个可溶性共轭齐聚物。其中,T-BTTT11、T2-BTTT11、T4-BTTT11和TPT-BTTT11的中心芳香单元分别为噻吩、2,2’-联噻吩、2,5-二(3-十二烷基噻吩)并二噻吩和N-十二烷基二噻吩并吡咯。通过溶液旋涂制备了OTFT器件,T4-BTTT11的器件性能最佳,迁移率达到1.20×10-2 cm2V-1s-1。