近年来，准一维纳米材料因其独特的电、光和机械特性而备受关注。氧化铜纳米材料更因其在场发射器件、气敏传感器、磁存储媒介和太阳能转换领域的潜在应用引起了科研者的兴趣。本论文实现了利用荫罩掩膜定域生长氧化铜纳米线，通过SEM、TEM和XRD的表征证实该纳米线为单斜结构的氧化铜纳米线；研究了影响氧化铜纳米线形貌的主要因素，实现了纳米线的可控制备；系统研究了生长温度、生长时间与场发射特性之间的关系，发现氧化铜纳米线的场发射特性随生长温度和时间的增加呈规律性变化，不同条件下样品的场发射特性差别可以用氧化铜纳米线的几何形貌和生长密度得到很好的解释。此外，我们还初步探索了氧化铜纳米线在有机无机复合太阳能电池结构中应用的可行性。本研究对于实现纳米线在场致件和光电转换器件中的应用具有重要意义。