Cu_xS薄膜的制备及其忆阻性能研究

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随着数据的爆炸式增长,手机、电脑等电子产品对集成电路芯片的信息处理和存储能力提出了更高的要求。因此,开发出能够满足存储和处理大量数据的非易失性存储器迫在眉睫。忆阻器以结构简单、能耗低、响应时间快和集成度高等特点被认为是最有竞争力的下一代信息处理单元之一。已有研究人员通过开发新忆阻材料、新结构、施加电、光和其他刺激信号等途径,在非易失性存储器、逻辑运算和神经突触模拟等领域取得了令人瞩目的进展,然而距离大规模集成应用还面临诸多亟待解决的问题。目前,材料的选择以及相应的制备工艺尚未成熟,不同材料的阻变机制
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p型Ⅰ-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ族直接带隙半导体化合物铜锌锡硫硒(Cu_2Zn Sn(S,Se)_4,CZTSSe),因其所含元素地壳储量丰富、光学带隙在1.0~1.5 e V范围可调且光吸收系数可达10~4 cm~(-1)等优点被视为是薄膜太阳能电池的理想光敏层材料,成为了近年来该领域的研究热点。CZTSSe薄膜太阳能电池的理论光电转换效率约32.4%,而目前报道的最高实验室效率仅为12.6%,因此,探索提高
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超级电容器,由于具有功率密度高、循环寿命长和安全可靠等优点引起人们的广泛关注。赝电容型超级电容器的储能是通过电解液中的离子在电极表面及近表面的可逆法拉第反应进行的,因而能量密度相较于静电吸附而进行电荷存储的双电层型电容器更高。然而,其储能性能依旧受到赝电容材料的反应机理的限制,是一种表界面能量存储机制,对电极活性材料并未完全利用,与电池相比能量密度较低,是目前需要解决的关键科学问题。二氧化锰(Mn
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