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自从Yablonovitch和John于1987年提出光子晶体的概念后，关于光子晶体的研究便吸引了众多领域的兴趣。其光子禁带特性可以被用来控制自发辐射或提高LED的光提取效率。本论文旨在通过对欧泊及反欧泊三维光子晶体制备的实验研究，改善三维欧泊及反欧泊光子晶体MOCVD法生长质量的目的。本论文的主要工作如下：（1）介绍了光子晶体的产生、发展历程和制备方法等。（2）制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积（MOCVD）技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP。实验研究了不同成核条件对于生长填充InP的影响。对所制备的欧泊及反欧泊结构光子晶体的光子带隙进行了理论分析和模拟计算，引入“材料有效介电常数”的概念改进了传统的计算方法，计算结果比传统方法更接近实验结果。（3）介绍了光子晶体的理论研究方法并采用MOCVD技术制备了InP反蛋白石结构三维光子晶体，获得了较好的填充率和结晶质量。为制备三维全带隙InP光子晶体提供了科学依据。（4）介绍了LED的历史及应用发展前景，分析了光子晶体在LED中的设计应用。