二维材料具备丰富的光电特性以及物理特性,在多个领域都得到了广泛的应用。其中,二维铁磁材料具有强的磁光克尔效应,是构建自旋电子学器件的核心,在磁光存储器、自旋阀以及磁隧道结等器件中具有潜在的应用价值。Cr I3、Cr2Ge2Te6和Fe3Ge Te2是发现最早且研究范围最广的三类本征范德瓦尔斯二维铁磁材料,其异质结器件在电场、磁场和应力作用下表现出良好的电学性能调控特性。然而,由于其居里温度远低于室温且空气稳定性差,不能满足室温铁磁器件的应用需求。因此,探索居里温度高、空气稳定性好的二维铁磁材料是目前该领域的研究重点之一。磁光克尔技术是利用光的偏振特性来研究二维材料磁光性质的有效手段,通过磁光克尔信号可以得到材料的磁光和磁性信息。化学气相沉积法（CVD）可以生长薄层的非范德瓦尔斯材料,这将有助于寻找新型的具有优良性质的二维磁性材料。本文以铬基碲化物和Ta3Fe S6材料为研究对象,通过CVD法以及金辅助剥离法制备得到二维纳米片,并利用磁光克尔测量技术对其磁光特性进行了研究,具体工作如下:1.研究了二维Cr Te纳米片的磁光特性,获得了纳米片磁光信号对厚度的依赖关系以及厚度-温度磁相图。利用CVD的方法,成功地在Si O2/Si衬底上制备出了二维Cr Te纳米片,样品厚度最薄为2.4 nm。通过磁光克尔测量技术,研究了Cr Te纳米片磁光克尔信号同波长和厚度的依赖关系。11 nm厚的Cr Te纳米片磁光克尔角可达19 mrad,磁光克尔角及反射磁圆二色性（RMCD）随波长的变化曲线满足Kramers–Kronig关系。随着厚度的增加,纳米片磁光克尔角减小,居里温度提高。薄层Cr Te纳米片具有矩形的磁滞回线,表现出好的硬磁性;厚层纳米片磁滞回线较为复杂,存在两个铁磁转变过程。通过研究不同厚度Cr Te纳米片的磁光性质,得到了其厚度-温度磁相图。这一结果不仅有助于理解Cr Te从三维到二维转变过程中的磁性变化规律,也为Cr Te在自旋电子学的发展奠定了基础。2.研究了二维Cr2Te3纳米片的磁光特性,并通过施加应力提高其居里温度。利用CVD的方法,成功地在云母衬底上制备出了二维Cr2Te3纳米片。通过XRD、TEM、EDS及拉曼光谱对其进行了基本表征,变温拉曼结果显示,Cr2Te3纳米片同云母衬底界面处存在一定的应力。磁光克尔研究结果表明,Cr2Te3纳米片具有良好的面外铁磁性质,12.5 nm厚的Cr2Te3纳米片的居里温度为140 K。在激光波长760 nm、温度为30 K的条件下,纳米片的磁光克尔角为4 mrad。通过施加应力的方法可以有效地调控其居里温度和矫顽场,拉伸应力下其居里温度提高,压缩应力下则降低。该工作不仅丰富了二维磁性材料家族成员的物理性质,而且提供了二维磁性材料物性调控的新方法。3.研究了二维Ta3Fe S6纳米片的磁光特性,发现其具有极高的空气稳定性。利用金辅助剥离技术,成功制备出二维Ta3Fe S6纳米片,厚度最薄为2层。纳米片磁光克尔信号同波长的依赖关系和单晶不同,9层厚的纳米片磁光克尔角可以达到48mrad,远大于单晶的磁光克尔角最大值14 mrad。Ta3Fe S6纳米片居里温度同Fe含量的依赖关系结果表明,Fe含量越低,居里温度越高。Ta3Fe S6纳米片在空气中放置4个月后的磁学性能没有衰减,表现出良好的空气稳定性。大的克尔角和高的稳定性为二维Ta3Fe S6在磁光存储器件中的应用奠定了基础。综上所述,本论文利用磁光克尔测量技术研究了新型二维铁磁材料Cr Te、Cr2Te3和Ta3Fe S6的磁性及磁光特性,阐明了三类材料的居里温度及磁光克尔角大小随温度、波长和厚度的变化关系,并进行了稳定性和应力调控特性探索。相关研究结果为二维磁性材料在磁光存储及其它自旋电子学器件中的应用奠定了基础。