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随着功率集成电路的迅猛发展,BCD(Bipolar CMOS DMOS,BCD)工艺已经成为主流的功率器件制备技术。作为BCD工艺核心的横向双扩散金属氧化物场效应晶体管(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS),由于耐压能力强、驱动电流大、开关性能好、生产成本低等优点得到了广泛的应用。但由于市场对更低功耗、更高工作频率以及更高集成度的不断追求,迫切需要一种击穿电压高、特征导通电阻低、栅漏电容小且可靠性高的功率LDMOS器件。本文研究了新型分段浅槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)LDMOS器件,首先利用计算机辅助设计(Technology Computer Aided Design,TCAD)软件 Sentaurus 对新型分段 STILDMOS 器件进行仿真和优化设计,重点研究了漂移区长度、漂移区掺杂浓度、STI长度、STI宽度以及栅极场板距离等参数变化对器件电学性能的影响,得到了符合电学设计指标要求的结构尺寸和工艺参数。紧接着对新型分段STT LDMOS器件的可靠性展开研究,结果发现:Kirk效应和寄生NPN晶体管导通是影响维持电压和开态击穿电压的主要因素,在漏端增加低压N阱可以使器件的静电放电响应特性符合设计窗口的要求,同时还可以展宽器件的安全工作区;STT拐角处的热电子注入以及界面态是造成线性区电流退化的主要原因,采用圆弧形STI结构可以降低碰撞电离峰值改善器件的热载流子可靠性。最终仿真结果显示,新型分段STILDMOS器件的阈值电压为1.2V,关态击穿电压为32.2V,特征导通电阻为11.78mΩ·mm2,栅漏电容为0.34fF,二次击穿电流为1.8×10-3A/μm,开态击穿电压为26.9V,最坏应力条件下的碰撞电离峰值为2.12×1027cm-3/s,达到了设计指标的要求,实现了耐压能力、导通损耗、开关性能以及可靠性之间良好的平衡关系。本文的研究成果对BCD工艺下新型功率LDMOS器件的设计具有一定的参考意义。