在经济和科技都在迅速发展的时代,人们的生活中出现了种类繁多的电子产品,这些电子产品广泛应用于通信、军工、教育、医疗等方面。对于繁琐、机械的工作,电子产品可以帮助人们减小工作量、降低时间成本,方便了日常生活。由于电子产品一直在更新换代,就会出现大量的废旧电子器件。这些废旧电子器件既占用空间、污染环境,还带来了信息安全的问题。因此,需要对这些电子产品中的芯片进行处理。目前,大多数的芯片是由硅材料制备而成的。在常温下,硅材料的稳定性很好,采用水解的方式进行降解,所需的降解时间过长。针对上述问题,本文提出了引入外力使芯片裂解的方法,然后在硅的湿法腐蚀方法基础上,通过加入超声辅助、外加电压和光照辅助的方法对芯片的降解进行研究,主要研究内容如下:本文基于水触发和引入应力的方式使硅片裂解,在填充吸水性能好且体积能够大幅度变化的吸水树脂基础上,对填充物产生的力进行优化。加入3层压缩纤维后,吸水树脂吸水效果最佳,产生的力为未优化时的3倍。为了充分利用有限的填充空间,混合使用颗粒大小不同的吸水树脂,颗粒小的吸水树脂与颗粒大的吸水树脂重量比在1:4时产生最大的力。在填充物上方置入小钢珠使应力集中,达到芯片破裂的目的。芯片基于水触发实现破碎后,芯片碎片在水中降解所需时间较长。本文后部分在硅的湿法化学腐蚀基础上,加入超声辅助、外加电压和光照等辅助条件对硅片的降解进行研究,探究不同因素对降解速率的影响。其中,温度是一个很重要的因素,温度越高,反应就愈剧烈,降解速率也就会愈快。腐蚀液的浓度为40 wt%时,降解速率最大。在溶液中加入异丙醇可以提升降解速率,当含量为8%时,降解速率最大。异丙醇的含量超过8%时,会改变硅表面的粗糙度,降低降解速率。利用光辅助电化学腐蚀时,光的波长对降解速率有影响,当光的波长超过硅的本征吸收长波限,即大于1100 nm时,光照没有效果。用波长短能量高的紫光照射会影响表面粗糙度,降解速率会低于未加光照时的速率。使用波长范围为400～1100 nm的白光照射时,降解速率较未光照时有所提高。光照强度越大,降解速率会越大。