随着科学的进步和微电子技术的飞速发展,硅基集成电路的集成度越来越高。而集成度的提高是以其核心器件金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）特征尺寸的逐渐减小为基础的。但是受量子隧穿效应的影响,MOSFET栅极SiO₂电介质层的厚度不可能无限制地减小。因此,必须寻找一种新的具有高介电常数的栅极电介质材料来取代传统的SiO₂。在已研究的新一代栅极电介质材料中,具有伪立方钙钛矿结构的LaAlO₃薄膜倍受人们看好,很有希望成为新一代高集成度MOSFET的栅极电介质材料。本论文围绕LaAlO₃薄膜的制备、后退火处理、微结构和电学性能的测量与表征,对薄膜进行了深入研究。首先,我们采用射频磁控溅射法在p型Si（100）衬底上制备了非晶态的LaAlO₃薄膜,并利用双光束干涉显微镜测厚法测得薄膜厚度。然后,将LaAlO₃薄膜在空气环境中进行了120分钟的高温后退火处理,再利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜及能量色散谱仪等表征手段对LaAlO₃薄膜的微结构、表面形貌及结晶性能进行表征分析。最后,我们采用直流磁控溅射法在LaAlO₃薄膜表面镀上铂（Pt）顶电极,再将形成的Pt/LaAlO₃/Si结构在高纯氧气环境中进行30分钟的高温后退火处理,并测得薄膜样品的电容-电压和电流-电压特性曲线。非晶态LaAlO₃薄膜表现出了良好的热稳定性和电学性能。