HVPE生长GaN的气相反应研究及反应器设计优化

来源 :江苏大学 | 被引量 : 1次 | 上传用户：spacelion

【摘要】

：

GaN是一种重要的宽禁带半导体材料,广泛应用于半导体照明和大功率电力电子器件。氢化物气相外延(Hydride Vapour Phase Epitaxy,HVPE)具有生长速率高、可控性强等特点,是制备GaN同质外延衬底的理想方法。由于HVPE生长GaN过程中存在严重的气相寄生反应,因此了解气相反应路径对控制和优化薄膜生长至关重要。本文利用量子化学的密度泛函理论,对HVPE生长GaN的气相反应路径进

【作者】

：

孙秀秀

【出处】

：

江苏大学

【发表日期】

：

2019年01期

【关键词】

：

密度泛函理论氮化镓氢化物气相外延气相反应数值模拟

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