C型凝集素样受体2(CLEC-2)与急性缺血性卒中预后的相关性研究

来源 :苏州大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:woailzm002
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
目的:C型凝集素样受体2(C-type lectin-like receptor2,CLEC-2)是高度介导血小板聚集和活化效应的血小板表面受体,研究发现冠心病患者中CLEC-2水平明显升高,鉴于冠心病与缺血性卒中之间的关系,本研究旨在分析CLEC-2水平与急性脑梗死患者近期病情进展及远期预后的关系。方法:连续入组2016年12月至2017年12月于苏州大学附属第二医院就诊的急性脑梗死患者352例,同时入组无脑梗死、冠心病、外周血管病等的健康体检者112例。急性脑梗死患者入院后收集并记录一般病史相关资料、实验室指标、影像学检查等,神经功能缺损程度采用美国国立卫生研究院卒中量表(national institutes of health stroke scale,NIHSS)评定,患者出院后3个月的日常生活自理能力采用改良Rankin量表(modified Rankin scale,mRS)评估。比较急性脑梗死组及健康组的CLEC-2水平差异,分析CLEC-2水平与卒中进展的相关性,使用ROC曲线评估CLEC-2对卒中进展的预测价值;患者出院3月后随访,根据mRS评分分为预后良好组和预后不良组,分析CLEC-2水平与脑梗死发病90天不良预后的相关性,使用ROC曲线评估血浆CLEC-2对发病90天不良预后的预测价值。结果:急性脑梗死患者CLEC-2水平显著高于对照组(177.68±91.83pg/ml vs.106.7±72.64pg/ml,P<0.05);预后不良组CLEC-2水平较预后良好组明显升高(201.39士104.29pg/ml vs.168.14±84.67pg/ml,P=0.005)。根据CLEC-2四分位数将急性脑梗死组分为≤llOpg/ml,110-157pg/ml,157-237pg/ml,>237pg/ml四组,调节混杂因素后最高CLEC-2水平(>237pg/ml)组的卒中进展发生风险为最低CLEC-2水平组(≤110pg/ml)的7.69倍(95%CI:1.43-41.41),最高CLEC-2水平组的预后不良风险较最低CLEC-2水平组增加了 4.58倍(95%CI:1.76-17.68)。CLEC-2预测卒中进展的最佳临界点为235.48pg/ml,特异性54.2%,敏感性76.8%;CLEC-2预测卒中不良预后的最佳临界点为207.08pg/ml,特异性48.5%,灵敏度71.7%。结论:1)急性脑梗死患者CLEC-2水平显著高于健康体检者;2)血浆CLEC-2水平的升高与卒中进展及预后不良相关,提示CLEC-2可能是预测急性脑梗死病情加重及评估不良预后的一个重要的生物学指标。
其他文献
基于某水电站出线构架的工程实例,提出类似结构的设计要点与计算分析的方法,探讨计算与设计中需要解决的问题,最终选取合适的结构并通过工程实际验证是合理的。
通过线上观看生理学微课视频和集体讨论及阶段性测验、线下课堂互动式授课及面对面的讨论课开展混合式教学改革,充分利用网络教学资源和传统课堂教学的优势,建立SPOC平台,在
狮子坪水电站大坝基础覆盖层深厚(最深达101.5 m),结构层次复杂,各层级配不均一,局部具架空现象,基础防渗处理难度大。河床基岩横断面为较对称的"V"型谷,谷坡陡峻,施工难度大。防
从历史的跨越、深刻的变化、宝贵的启示三方面阐述了改革开放三十年来山西渔业建设取得的成就和发生的翻天覆地的变化,并分析和总结了山西渔业能够在改革开放大潮中崛起的原因
皖南医学院临床医学专业部分学生在第六、七学期进入临床学院,完成13门临床课程的理论课和实践课学习任务,以多种实践课授课形式为特色,实现"早临床、多临床、反复临床"的教学
6月1日,灌云风电场最后一台风机吊装成功。至此,中国水电七局机电安装分局已全部完成所承担的14台风机的吊装任务。灌云风电场是华电公司在沿海滩涂地带投资的第一个风力发电站
详细介绍哈拉军水电站工程动力渠强湿陷性粉质黏土段渠道处理设计,通过对该段渠道采取多种处理方案的比较,结合当时施工条件等因素,推荐出安全可靠、操作性强的处理方案,为类
以某水利工程项目为背景,对项目中的风险进行了有效的识别、控制和监控,对主要风险因素的控制措施提供了有力的依据,对本工程和今后类似的水利工程中的风险管理具有指导性意
虚拟仿真实验教学中心建设工作是高校教育信息化的要点。医学强调以实验和实践为基础,涉及高危、不可逆性操作和伦理等多方面问题。文章对遵义医学院建设国家级医学虚拟仿真
基于深紫外浸没式曝光技术的大规模集成电路制造已接近10 nm特征尺寸。由于工艺复杂、设备昂贵且需要昂贵的光学掩膜版,浸没式曝光技术并不适用于小批量芯片、微光学元件、微