氮化铝(AlN)陶瓷具有优异的导热性能，良好的电性能和机械强度，是一种理想的电子封装材料，受到了越来越多的关注。流延成型工艺是制备电子封装基板材料最重要和最普及的方法。本文采用正交法，研究了各种添加剂对于有机流延浆料流动性的影响，制备了性质稳定、流动性良好的有机流延浆料和AlN素坯膜。结合PIBM凝胶体系和流延成型方法，首次使用水基注凝-流延成型方法制备了AlN素坯膜，研究了无压烧结AlN陶瓷基片的显微结构、相组成和导热性能之间的关系。此外，尝试热等静压烧结(HIP)工艺制备高强度AlN陶瓷，探索了AlN陶瓷的预烧和HIP烧结工艺。　　研究表明:各种添加剂对浆料粘度的影响不同。粘结剂对浆料粘度的影响最大，且粘度随着粘结剂含量的增多而增大;塑化剂对浆料粘度的影响最小，它使流延素坯具有柔韧性，便于加工和储存。使用正交法，快速明确了各种添加剂的使用量，得到了表面光滑、均匀一致的AlN素坯膜，经脱粘、无压烧结制备了热导率为186 W/(m·K)的致密AlN陶瓷。　　PIBM（异丁烯与马来酸酐共聚物）是一种新型的水基注凝成型体系，仅使用一种添加剂，既充当分散剂，又充当凝胶剂，且用量少，工艺简单。首次结合PIBM注凝成型和流延成型方法，探索了AlN陶瓷的水基注凝-流延成型，研究了PIBM、固含量以及塑化剂对浆料性能的影响。制备出了固含量为40vol％的浆料，浆料具有剪切变稀的特点;塑化剂降低浆料的储能模量，延长了浆料的固化时间。通过流延成型制备了具有一定柔韧性的AlN素坯膜，经无压烧结，AlN致密陶瓷热导率为161 W/(m·K)。能谱分析发现:在部分晶界处含有第二相，主要组成是Y、O、Al的化合物，影响了AlN的热导率。　　探索了AlN陶瓷的预烧及HIP烧结工艺，制备了细晶AlN陶瓷，平均晶粒尺寸约3.8μm，热导率达到185 W/(m·K)，但抗弯强度没有得到显著提升，HIP烧结工艺还需进一步优化。