射频实验小组专门从事ICP(inductive coupling plasma)等离子体基片调谐自偏压的物理特性方面的研究工作。在以前的实验中，首次发现了基片调谐偏压的跳变、双稳回滞现象，并且对此进行了详细的研究。 在对基片调谐偏压的跳变、双稳回滞现象进行研究的过程中，又发现了一种新的现象，这就是基片调谐偏压的振荡现象。射频基片偏压振荡是指在一定的等离子放电参数范围内，当外部调回路阻抗处于一定值域中，基片上偏压发生的一种低频振荡现象。频率的大小在1000—6000Hz之间，振荡幅度在10V左右。 实验针对射频基片偏压振荡现象的各个方面，设计了大量实验，探讨了自振荡的产生条件、特性等，并分析了自振荡现象的成因，给出了定性的解释。 实验结果表明这种射频基片偏压振荡现象与等离子体放电参数以及调谐电路参数等多种因素密切相联系。产生这种振荡的能量来源是ICP等离子体中容性耦合，其激励机制是等离子体鞘层电容非线性特性与外部调谐电路阻抗特性正反馈作用。