新发现的黄铜矿结构半导体Cu₁₈Ga₂₅Te₅₀（Cu/Ga=0.72）存在固有的Cu空位缺陷,这种较高的铜空位率使得其成为很有潜力的热电材料。本文通过粉末冶金法利用放电等离子烧结（SPS）技术成功制备出Cu₁₈Ga₂₅Te₅₀,并对其进行热电性能的研究。在此基础上,通过不同的元素掺杂,研究了Cu₁₈Ga₂₅Sb_xTe_50-x（x=0,1.875,2.5,3.125）、Cu₁₈Ga₂₅Sb_xTe₅₀（x=1.5625,3.125,3.75,4.375）和(Cu₁₈Ga₂₅Te₅₀)_1-x（MnTe）_x（x=0.05,0.1,0.15,0.2）三种材料的结构与热电性能。主要研究结果总结如下:1、在Cu₁₈Ga₂₅Sb_xTe_50-x（x=0,1.875,2.5,3.125）系列材料中,我们采用Sb替换Te后,使得Sb-5p轨道在价带中与Cu-4s和Te-5p轨道发生杂化。随着Sb含量的增加,费米能级（E_f）钉扎作用消失并朝着价带内移动。这种能带结构的改变使得载流子浓度比Cu₁₈Ga₂₅Te₅₀提升一个数量级以上,因此材料的功率因子显著提升。结合由晶格混乱度增加所降低的晶格热导率,在x=2.5,T=854 K时获得了该系列材料最高的ZT值（1.2）。2、在Cu₁₈Ga₂₅Sb_xTe₅₀（x=1.5625,3.125,3.75,4.375）系列材料中,Sb的直接掺入使得材料的载流子浓度和有效质量显著增加,电导率增大。随着Sb含量的增加,材料的晶格热导率随温度升高逐渐降低,并在x=3.75时最低,该材料的最高ZT值达到最高值1.55,是Cu₁₈Ga₂₅Te₅₀的1.9倍。3、在(Cu₁₈Ga₂₅Te₅₀)_1-x（Mn Te）_x（x=0.05,0.1,0.15,0.2）系列材料中,MnTe的引入使得材料的电导率有一定的提升,同时材料的Seebeck系数随着MnTe含量的增加逐渐增大,明显高于本征材料。但是由于该系列材料的晶格热导率比未掺杂的高出很多,最终材料的最大ZT值仅为0.64（x=0.2,T=869 K）。