【摘 要】
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光电传感器作为工业机器的神经元部件,在高速非接触式信息采集和系统响应处理中地位举足轻重。光电类传感器的研究伴随新材料的发现和制备方法的演进而不断朝高精度、快响应、可调谐方向突破。其中石墨烯/硅异质结在光电类异质结研究中备受青睐主要得益于石墨烯优秀的电磁学、热力学、光学特性。但这种新型异质结的光电测试表现与其他新材料相比并不突出,光探测范围仅在450~900nm之间,响应率在mA/W级别。制备工艺与
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光电传感器作为工业机器的神经元部件,在高速非接触式信息采集和系统响应处理中地位举足轻重。光电类传感器的研究伴随新材料的发现和制备方法的演进而不断朝高精度、快响应、可调谐方向突破。其中石墨烯/硅异质结在光电类异质结研究中备受青睐主要得益于石墨烯优秀的电磁学、热力学、光学特性。但这种新型异质结的光电测试表现与其他新材料相比并不突出,光探测范围仅在450~900nm之间,响应率在mA/W级别。制备工艺与成本繁琐昂贵,限制该类光电传感器的普及和应用。本研究中利用电子回旋共振等离子体系统中的电子辐照模式制备含有石墨烯晶体垂直嵌入的碳膜,采用范德华接触方式转移膜与硅形成异质结。研究了两种器件(1)场效应管器件和(2)垂直供电器件在不同偏压调制模式研究改良和提升光电异质结的光导特性。本研究的具体结果如下:(1)借助透射电镜显微照片、局部电子能量损失能谱分析及拉曼光谱法综合验证了电子辐照下基片沉积偏压为80V时,封闭磁控电场内电子回旋共振等离子体氛围下制备的碳膜内部纳米尺度具备结晶度较高的片层石墨烯垂直嵌入结构。膜空间结构内具备复杂度极高的非晶碳与晶体石墨烯的交联边缘结构,掺杂电子主要聚集在此区域。(2)研究80V沉积偏压的石墨烯垂直嵌入碳膜与n硅异质结场效应管器件,在横向偏压模式下由于膜内扩散作用,光生载流子在横向电场作用下发生抽离构成光电流的一部分而导致极高的光响应率,最高达到1.25×104A/W,响应谱峰值波长为600nm,结晶度极低的20V碳膜在横向电场作用下响应率由mA/W级别达到了A/W级,光谱峰波长偏移到810nm附近。(3)研究碳膜/硅垂直供电器件,在垂直反向偏压调制下,80V碳膜异质结器件的响应率最高可达到92.57A/W,响应峰值在700nm附近。提高了光生载流子的利用率和延长载流子重新结合的时间,时间响应最快达到4.91us。在微弱探测领域应用拓宽,光谱响应范围增加到450~1100nm。
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