有机薄膜场效应晶体管凭借着结构、成本和加工工艺的优势,在有机逻辑电路、OLED平板显示技术、有机太阳能电池和新型传感器件等方面具有极大的发展潜力,近年来成为了人们研究的热点。在有机薄膜器件中,有机半导体层的结晶质量和源漏电极的注入效应对器件性能有着极大的影响,本论文通过对基于酞菁铜的有机薄膜场效应晶体管器件性能进行优化,研究半导体结晶质量和源漏电极的注入效应对有机半导体器件性能的影响,具体内容如下:首先,本文简要介绍了有机薄膜场效应晶体管器件的应用领域、研究背景以及目前研究发展所存在的相关问题。然后详细阐述有机薄膜器件的工作原理和器件的基本结构,介绍相关制备有机薄膜晶体管器件所需的材料和仪器。其次,介绍完整的有机薄膜场效应晶体管器件的制备过程,并且依据本实验所制备出的有机薄膜场效应器件,利用Keithley 2400电子检测表和Labview软件结合,设计出一套完整的针对有机薄膜晶体管的检测平台。再次,本文利用真空高温退火和溶液处理方法来改善有机半导体层的结晶生长,通过对有机层的表征与有机薄膜场效应晶体管器件性能对比分析,探索最佳退火温度与溶液处理工艺。最后,通过插入电极缓冲层材料来改善电极与有机层之间的注入效应和接触电阻,理论上分析改善电荷注入的原因,实验中优化缓冲层材料与厚度以获得更好器件性能。